2SJ349(F,T)
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2SJ349(F,T)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 20A TO220NIS

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：20A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：90nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2800pF @ 10V
功率 - 最大值：45W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220NIS