2SJ412(Q)參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 16A TO-220FL
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： 2SJ412,2SK2401Bottom 2SJ412Front標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：16A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：210毫歐@6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：48nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1100pF@10V功率-最大值：60W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3（SMT）標(biāo)片供應(yīng)商器件封裝：TO-220FL
