2SJ650
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2SJ650參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： TO-220MLPackageP-Channel&N-ChannelTop
標(biāo)準包裝：100
系列：-
包裝：散裝
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：135毫歐@6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：21nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1020pF@20V
功率-最大值：2W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220ML