2SJ655參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： TO-220MLPackageP-Channel&N-ChannelTop標準包裝：100系列：-包裝：散裝FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：136毫歐@6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：41nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2090pF@20V功率-最大值：2W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3整包供應商器件封裝：TO-220ML
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