2SJ683-TL-E
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2SJ683-TL-E參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 65A ZP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： ZPPackageP-Channel&N-ChannelTop
標準包裝：1,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：65A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：10.5毫歐@33A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：290nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：15500pF@20V
功率-最大值：50W
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：ZP