BSC750N10ND G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：13A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 13A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 12µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：720pF @ 50V功率 - 最大值：26W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
