BSF083N03LQ G
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BSF083N03LQ G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation12/May/2009
標準包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：53A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.3毫歐@20A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1800pF@15V
功率-最大值：36W
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-WDSON
供應(yīng)商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAKM?