CMF20120D參數(shù)：SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單應用說明： SiCMOSFETIsolatedGateDriver產(chǎn)品培訓模塊： 1200VSiCMosfetOverview視頻文件： Cree'sSiliconCarbideMosfets--AnotherGeekMoment標準包裝：30系列：Z-FET™包裝：管件FET類型：SiCFETN通道，碳化硅FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：1200V（1.2kV）電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：33A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：110毫歐@20A，20V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：90.8nC@20V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1915pF@800V功率-最大值：150W安裝類型：通孔封裝：TO-247-3供應商器件封裝：TO-247-3
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