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DI9952T參數(shù)：MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
其它圖紙： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：-
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：N和P溝道
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：-
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：-
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP