DMN32D2LFB4-7
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DMN32D2LFB4-7參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它圖紙： DFN1006H4-3Side DFN1006H4-3Bottom
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：300mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@100mA，4V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：39pF@3V
功率-最大值：350mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-XFDFN
供應(yīng)商器件封裝：3-DFN1006H4（1.0x0.6）