DMN6068SE-13參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.1A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：68毫歐@12A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10.3nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：502pF@30V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
