EMD22T2R參數(shù)：TRANS PRE-BIASED 50V 100MA EMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式標(biāo)準(zhǔn)包裝：8,000系列：-包裝：帶卷 (TR)晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：47k不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 250µA，2.5mA電流 - 集電極截止（最大值）：500nA頻率 - 躍遷：250MHz功率 - 最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：EMT6
