FQP50N06L參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：QFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：52.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：21毫歐@26.2A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：32nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1630pF@25V功率-最大值：121W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220
