FQU1N80TU
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FQU1N80TU參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,040
系列：QFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：800V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.2nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：195pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝：I-Pak