HI5860IBZ-T
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HI5860IBZ-T參數(shù)：CONV D/A 12BIT 130MSPS 28-SOIC

類別：集成電路 (IC)-數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)模轉(zhuǎn)換器
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
建立時(shí)間：35ns
位數(shù)：12
數(shù)據(jù)接口：并聯(lián)
轉(zhuǎn)換器數(shù)：1
電壓源：模擬和數(shù)字
功率耗散（最大值）：200mW
工作溫度：-40°C ~ 85°C
安裝類型：表面貼裝
封裝：28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：28-SOIC W
輸出數(shù)和類型：2 電流，單極
采樣率（每秒）：130M