IXFH9N80
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IXFH9N80參數：MOSFET N-CH 800V 9A TO-247

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：30
系列：HDMOS™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：*
漏源極電壓 (Vdss)：800V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：900 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 25V
功率 - 最大值：180W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
供應商器件封裝：TO-247AD