IXFT15N100Q3
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IXFT15N100Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs
標準包裝：30
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：1000V（1kV）
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：15A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.05歐姆@7.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：6.5V@4mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：64nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3250pF@25V
功率-最大值：690W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-268-3，D³Pak（2引線+接片），TO-268AA
供應商器件封裝：TO-268