IXFT18N100Q3
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IXFT18N100Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：18A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：660 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 4mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：90nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4890pF @ 25V
功率 - 最大值：830W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應(yīng)商器件封裝：TO-268