IXFT9N80Q
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IXFT9N80Q參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 9A TO-268

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1
系列：HiPerFET™
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：800V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.1 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：56nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2200pF @ 25V
功率 - 最大值：180W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商器件封裝：TO-268