IXGT30N120B3D1
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IXGT30N120B3D1參數(shù)：IGBT PT 1200V 30A W/DIODE TO268

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：GenX3™
包裝：管件
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：3.5V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30A
Current - Collector Pulsed (Icm)：150A
功率 - 最大值：300W
Switching Energy：3.47mJ（開(kāi)），2.16mJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：87nC
Td (on/off) A 25°C：16ns/127ns
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：100ns
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-268