IXST30N60B2D1
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IXST30N60B2D1參數(shù)：IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：-
包裝：散裝
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.5V @ 15V，24A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：48A
Current - Collector Pulsed (Icm)：90A
功率 - 最大值：250W
Switching Energy：550µJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：50nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/130ns
Test Condition：400V，24A，5 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間 (trr)：30ns
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-268