IXTY02N120P參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：Polar™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：200mA不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：75 歐姆 @ 500mA，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：4.7nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：104pF @ 25V功率 - 最大值：33W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）
