MCH6626-TL-E
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MCH6626-TL-E參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品目錄繪圖： MCPH3Package-P,N&N/PChannelTop
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.6A，1A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：230毫歐@800mA，4V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：1.4nC@4V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：105pF@10V
功率-最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：6-MCPH