MKI100-12E8參數(shù)：MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：5系列：-IGBT 類型：NPT配置：全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.5V @ 15V，100A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：165A電流 - 集電極截止（最大值）：1.4mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：7.4nF @ 25V功率 - 最大值：640W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：E3供應(yīng)商器件封裝：E3
