MKI100-12E8參數(shù):MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3
類別:半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝:5系列:-IGBT 類型:NPT配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,100A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):165A電流 - 集電極截止(最大值):1.4mA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):7.4nF @ 25V功率 - 最大值:640W輸入:標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝:E3供應(yīng)商器件封裝:E3