MKI50-12E7參數(shù)：MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2
類別：半導(dǎo)體模塊-IGBT標(biāo)準(zhǔn)包裝：6系列：-IGBT 類型：NPT配置：全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.4V @ 15V，50A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：90A電流 - 集電極截止（最大值）：800µA不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)：3.8nF @ 25V功率 - 最大值：350W輸入：標(biāo)準(zhǔn)NTC 熱敏電阻：無(wú)安裝類型：底座安裝封裝：E2供應(yīng)商器件封裝：E2
