MTP12P10G
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MTP12P10G參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence01/Jul/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：12A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：300毫歐@6A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4.5V@1mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：50nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：920pF@25V
功率-最大值：75W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB