MTP12P10G參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence01/Jul/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：300毫歐@6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：50nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：920pF@25V功率-最大值：75W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
