<table id="k2cy6"></table>
MTP10N10ELG參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence01/Jul/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：220毫歐@5A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1040pF@25V功率-最大值：1.75W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
