MTW32N20E參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence19/Jun/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：32A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：75毫歐@16A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：120nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：5000pF@25V功率-最大值：180W安裝類型：通孔封裝：TO-247-3供應(yīng)商器件封裝：TO-247
