NCP5181DR2G參數(shù)：IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
類別：集成電路 (IC)-PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)配置：半橋輸入類型：非反相延遲時間：100ns電流 - 峰值：1.4A配置數(shù)：1輸出數(shù)：2高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：600V電壓 - 電源：10 V ~ 20 V工作溫度：-40°C ~ 125°C安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
