NSBA114EDP6T5G
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NSBA114EDP6T5G參數(shù)：TRANS BRT PNP DUAL DGTL SOT-963

類別：分立半導體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
產(chǎn)品變化通告： WireBondChange01/Dec/2010
標準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：2個PNP預偏壓式（雙）
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器-基底(R1)(Ω)：10k
電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：35@5mA，10V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
電流-集電極截止（最大值）：500nA
頻率-躍遷：-
功率-最大值：338mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-963
供應商器件封裝：SOT-963