NSBA115EDXV6T1G
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NSBA115EDXV6T1G參數(shù)：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563

類別：分立半導體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
產(chǎn)品變化通告： WireBondChange01/Dec/2010
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：2個PNP預(yù)偏壓式（雙）
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器-基底(R1)(Ω)：100k
電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω)：100k
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：80@5mA，10V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
電流-集電極截止（最大值）：500nA
頻率-躍遷：-
功率-最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝：SOT-563