NSBC115EDXV6T1G參數(shù)：TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式產(chǎn)品變化通告： WireBondChange01/Dec/2010標準包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)晶體管類型：2個NPN預(yù)偏壓式（雙）電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA電壓-集射極擊穿（最大值）：50V電阻器-基底(R1)(Ω)：100k電阻器-發(fā)射極基底(R2)(Ω)：100k不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：80@5mA，10V不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：250mV@300µA，10mA電流-集電極截止（最大值）：500nA頻率-躍遷：-功率-最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：SOT-563
