暫無NVB5860NLT4GPDF資料下載

NVB5404NT4G參數(shù)：MOSFET N CH 40V 24A D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ReactivationNotice28/Jun/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：24A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.5毫歐@40A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：125nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：7000pF@32V
功率-最大值：5.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK