QS6K1TR參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品目錄繪圖： TSMT-6PackageTop標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：238毫歐@1A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：2.4nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：77pF@10V功率-最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：TSMT6
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