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QSE214

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QSE214參數(shù)：PHOTOTRANSISTOR IR THIN SIDELOOK

類別：傳感器，變送器-光電晶體管
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：*
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：-
電流 - 暗 (Id)（最大值）：100nA
波長：880nm
視角：50°
功率 - 最大值：100mW
安裝類型：通孔
方向：側(cè)視圖
封裝：徑向

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