RUR020N02TL參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：105 毫歐 @ 2A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：180pF @ 10V功率 - 最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：SC-96供應商器件封裝：TSMT3
