SIZ710DT-T1-GE3
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SIZ710DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
特色產(chǎn)品： PowerPAIR?
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2N溝道（雙）非對稱型
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：16A，30A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6.8毫歐@19A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：820pF@10V
功率-最大值：3.9W，4.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-PowerPair?
供應(yīng)商器件封裝：6-PowerPair?