SIZ900DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列特色產(chǎn)品： PowerPAIR?標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：2N溝道（雙）非對(duì)稱型FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：24A，28A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：7.2毫歐@19.4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：45nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1830pF@15V功率-最大值：48W，100W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：6-PowerPair?供應(yīng)商器件封裝：6-PowerPair?
<table id="siw8k"></table>
