SIZ900DT-T1-GE3
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SIZ900DT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
特色產(chǎn)品： PowerPAIR?
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2N溝道（雙）非對稱型
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：24A，28A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7.2毫歐@19.4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：45nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1830pF@15V
功率-最大值：48W，100W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-PowerPair?
供應(yīng)商器件封裝：6-PowerPair?