SSM3J112TU(TE85L)
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SSM3J112TU(TE85L)參數：MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.1A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：390 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：86pF @ 15V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：UFM（2.0x2.1）