SUP60N10-18P-E3
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SUP60N10-18P-E3參數(shù)：MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：60A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：18.3 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：75nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 50V
功率 - 最大值：3.75W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB