TPC8114(TE12L,Q,M)
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TPC8114(TE12L,Q,M)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 18A 8SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： TCP8SeriesTop TCP8SeriesEnd
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：18A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.5毫歐@9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：180nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：7480pF@10V
功率-最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm寬）
供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）