TPC8A04-H(TE12L,Q)參數(shù)：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：18A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：56nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 10V功率 - 最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
