TPCC8A01-H(TE12LQM
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TPCC8A01-H(TE12LQM參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： 8TSONTop 8TSONSide
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：21A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：9.9毫歐@10.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1900pF@10V
功率-最大值：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-TSON