【供應】MMBFJ112
- 產(chǎn)品型號：MMBFJ112
- 生產(chǎn)廠家： Fairchild Semiconductor
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
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3000pcs： $0.09522/pcs
- 向供應商詢價>>
6000pcs： $0.08993/pcs
15000pcs： $0.08200/pcs
30000pcs： $0.07671/pcs
75000pcs： $0.06877/pcs
150000pcs： $0.06613/pcs
詳細信息
產(chǎn)品培訓模塊：
High Voltage Switches for Power Processing
PCN Design/Specification： Mold Compound 12/Dec/2007
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：5mA @ 15V
漏源極電壓 (Vdss)：-
漏極電流 (Id) - 最大值：-
FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：35V
不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：1V @ 1µA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
電阻 - RDS（開）：50 歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
功率 - 最大值：350mW
PCN Design/Specification： Mold Compound 12/Dec/2007
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)：5mA @ 15V
漏源極電壓 (Vdss)：-
漏極電流 (Id) - 最大值：-
FET 類型：N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：35V
不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）：1V @ 1µA
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
電阻 - RDS（開）：50 歐姆
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
功率 - 最大值：350mW
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