1N5999B
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1N5999B參數(shù)：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

類別：分立半導體產(chǎn)品-單二極管/齊納
PCNDesign/Specification： DieDimension02/Nov/2007
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：散裝
電壓-齊納（標稱值）(Vz)：9.1V
容差：±5%
不同?Vr時的電流-反向漏電流：100nA@7V
功率-最大值：500mW
阻抗（最大值）(Zzt)：10歐姆
不同If時的電壓-正向(Vf)：1.2V@200mA
安裝類型：通孔
封裝：DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝：DO-35
工作溫度：-65°C~200°C