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1N6012UR

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深圳市同亨電子有限公司

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聯(lián)系人：洪小姐

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相關(guān)型號： 1N6012B-TP 1N6012B_T50R 1N6012B_T50A 1N6012B 1N6011B-TP 1N6011B_T50R

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1N6012B參數(shù)：DIODE ZENER 33V 500MW DO35

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-單二極管/齊納
PCNDesign/Specification： DieDimension02/Nov/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：散裝
電壓-齊納（標(biāo)稱值）(Vz)：33V
容差：±5%
不同?Vr時的電流-反向漏電流：100nA@25V
功率-最大值：500mW
阻抗（最大值）(Zzt)：88歐姆
不同If時的電壓-正向(Vf)：1.2V@200mA
安裝類型：通孔
封裝：DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝：DO-35
工作溫度：-65°C~200°C

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