2SJ058200L
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2SJ058200L參數(shù)：MOSFET P-CH 200V 2A U-G2

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： U-G2Type
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2歐姆@1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：400pF@20V
功率-最大值：10W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：U-G2